DC Parameters
Struja odvoda zasićenja (IDSS): Definira se kao struja odvoda kada je napon{0}}izvora gejta nula, ali je napon{1}}izvora drain{1}}napona veći od napona{2}}isključivanja.
Pinch{0}}off Voltage (UP): Definira se kao UGS potreban da se ID smanji na vrlo malu struju kada je UDS konstantan.
Take-off Voltage (UT): Definiše se kao UGS potreban za dovođenje ID-a na određenu vrijednost kada je UDS konstantan.
AC Parameters
AC parametri se mogu podijeliti u dvije kategorije: izlazni otpor i nisko{0}}transkonduktivnost. Izlazni otpor je tipično između desetina i stotina kilohma, dok je niskofrekventna transkonduktivnost općenito u rasponu od nekoliko desetina do nekoliko miliseverta, a neki dosežu 100 ms ili čak i više.
Nisko-transkonduktivnost (gm): opisuje kontrolni efekat napona izvora-gejta na struju odvoda.
Inter-Kapacitivnost elektrode: Kapacitet između tri elektrode MOSFET-a. Manja vrijednost ukazuje na bolje performanse tranzistora.
Limiting Parameters
① Maksimalna struja odvoda: Gornja granica dozvoljene struje odvoda tokom normalnog rada tranzistora.
② Maksimalna disipacija snage: Snaga u tranzistoru, ograničena maksimalnom radnom temperaturom tranzistora.
③ Maksimalni napon-izvornog napona: Napon pri kojem dolazi do lavine, kada struja odvoda počne naglo rasti.
④ Maksimalni napon{0}}izvora gejta: napon pri kojem reverzna struja između gejta i izvora počinje naglo da raste.
Pored gore navedenih parametara, postoje i drugi parametri kao što su među-kapacitivnost elektroda i visoko-parametri.
Napon proboja odvoda i izvora: Kada struja odvoda naglo poraste, UDS (Upper Demand) se javlja tokom lavinskog sloma.
Napon proboja gejta: Tokom normalnog rada tranzistora sa efektom spojnog polja-(JFET), PN spoj između gejta i izvora je obrnuto-pristrasan. Ako je struja previsoka, doći će do kvara.
Glavni parametri na koje treba obratiti pažnju tokom upotrebe su:
1. IDSS-Odvod zasićenja-izvor struje. Ovo se odnosi na odvod-izvor struje u spoju ili trošenje{5}}tipa izolovanog-polja gejta-efektnog tranzistora kada napon gejta UGS=0.
2. UP-Pinch-off voltage. 3. **UT-Take on Voltage:** Napon na kapiji na kojem je odvodni-izvorni spoj upravo isključen u spoju-vrste ili iscrpljenog-tipa{1}{1} izolovanog{10{10{10}polja{9} (IGFET).
4. gM-Transconductance: Predstavlja kontrolnu sposobnost gejta-izvornog napona UGS preko ID-a struje odvoda, tj. omjer promjene ID-a struje odvoda prema promjeni napona izvora-UGS gejta. gM je važan parametar za mjerenje sposobnosti pojačanja IGFET-a.
5. BUDS-Drain-Source Breakdown Voltage: Maksimalni napon odvoda-izvora koji IGFET može izdržati u normalnom radu kada je napon izlaza{4}}izvora UGS konstantan. Ovo je ograničavajući parametar; radni napon primijenjen na IGFET mora biti manji od BUDS-a.
6. PDSM-Maksimalna disipacija snage: Također ograničavajući parametar, odnosi se na maksimalnu dozvoljenu disipaciju snage odvoda-izvora bez degradiranja performansi IGFET-a. Prilikom upotrebe, stvarna potrošnja energije IGFET-a bi trebala biti manja od PDSM-a sa određenom marginom. 7. **IDSM-Maksimalni odvod-Izvorna struja:** IDSM je ograničavajući parametar koji se odnosi na maksimalnu struju dozvoljenu da prođe između drena i izvora tranzistora sa efektom polja tokom normalnog rada (FET). Radna struja FET-a ne bi trebala prelaziti IDSM.
